溫度系數低的薄膜電阻的生產工藝是目前常用的設計方法。薄膜電阻的生產結構包括氧化鋁陶瓷基板、TaN電阻材料層和Ni70Cr30金屬電阻材料層、Cu/Ni/Au電極層、SiO2保護層。氧化鋁陶瓷基板與Ni70Cr30金屬電阻材料層之間設置有TaN電阻材料層； Ni70Cr30金屬電阻材料層表面設有Cu/Ni/Au電極層，在非Cu/Ni/Au電極層區(qū)域設有SiO2保護層。薄膜電阻超低電阻溫度系數的生產方法包括以下步驟：   
     1、薄膜電阻選用氧化鋁陶瓷基板，尺寸為50.8mm×50.8mm×0.254mm，純度99.6%。清洗后，采用磁控濺射的方法依次沉積負電阻溫度系數TaN電阻材料層、正電阻溫度系數Ni70Cr30金屬電阻材料層和Cu/Ni/Au金屬電極層；
     2、將生產的薄膜電阻放入200℃的烘箱中，熱處理6小時；
     3、另外，薄膜電阻采用光刻和濕法刻蝕的方法制作金屬電極區(qū)圖形；
     4、薄膜電阻金屬電極采用光刻法和離子刻蝕法制作，Ni70Cr30金屬材料層制成電阻線圖形；
     5、將得到的基板放入夾具中，測得薄膜電阻溫度系數為5.7～10.4ppm/℃；
     6、經過離子刻蝕和激光調阻的方法，減小了Ni70Cr30金屬電阻材料層的面積，測試溫度系數為3.2～6.8ppm/℃；
     7、使用PECVD在基板正面沉積一層SiO2保護層，通過光刻/Au金屬電極層區(qū)域暴露Cu/Ni。
另外，在制備負溫度系數薄膜電阻時，其制作方法如下：
     1、在清洗干凈的玻璃或陶瓷基板上，依次沉積負電阻溫度系數材料層和正電阻溫度系數材料層和金屬電極層；
     2、貼片電阻進行熱處理，然后制作金屬電極區(qū)圖形；
     3、將正電阻溫度系數材料層制成所需的線型；
     4、減小負電阻溫度系數材料層面積或同時減小正電阻溫度系數材料層和負電阻溫度系數材料層的面積，得到低溫度系數薄膜電阻電阻溫度系數≤±10ppm/℃；
     5、在金屬電極區(qū)外的區(qū)域涂上鈍化保護層。       
此外，在制備具有正溫度系數的薄膜電阻時，生產工藝也有所不同。詳情如下：
    1、在干凈的玻璃或陶瓷基板上依次沉積負電阻溫度系數材料層、正電阻溫度系數材料層和金屬電極層；
    2、加熱薄膜電阻，然后制作金屬電極區(qū)圖形；
    3、使材料層具有正電阻溫度系數所需的線型；
    4.減小電阻正溫度系數材料層的面積或同時減小電阻溫度系數為正的材料層和電阻溫度系數為負的材料層的面積，得到電阻溫度系數≤±10ppm/℃ 低溫度系數薄膜電阻；
    5、在金屬電極區(qū)外的區(qū)域涂上鈍化保護層。
通過上述方法生產的薄膜電阻器可以保證薄膜電阻器在低溫漂移設計中的穩(wěn)定性能。
  很多電阻廠家在選擇生產工藝時都會仔細考察市場情況。目前這種薄膜電阻的生產工藝非常優(yōu)越，很多高端薄膜電阻廠商已經進行了布局生產，這種低溫漂系數薄膜電阻得到了市場的廣泛認可，具有非常大的市場潛力。電阻市場前景。